Fuente de alimentación de silicio policristalino de 0 a 50 V y 0 a 5000 A

Descripción del Producto:

Presupuesto:

Parámetros de entrada: trifásico, CA 480 V ± 10 %, 60 Hz

Parámetros de salida: CC 0~50 V 0~5000 A

Modo de salida: Salida de CC común

Método de enfriamiento: enfriamiento por aire/ enfriamiento por agua

Tipo de fuente de alimentación: basada en IGBT

Industria de aplicación: Horno de reducción de silicio policristalino, presión y reducción, crecimiento de cristales.

Tamaño del producto: 87 x 82,5 x 196 cm

Peso neto: 460 kg

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Especificación
Tipo de grifo	Grifos de lavabo de baño,
Tipo de instalación	Conjunto central,
Orificios de instalación	Un agujero,
Número de manijas	Mango único,
Finalizar	Ti-PVD,
Estilo	País,
Caudal	1,5 GPM (5,7 L/min) máximo,
Tipo de válvula	Válvula de cerámica,
Interruptor de frío y calor	Sí,
Dimensiones
Altura total	240 mm (9,5"),
Altura del pico	155 mm (6,1"),
Longitud del pico	160 mm (6,3"),
Centro de grifería	Un solo agujero,
Material
Material del cuerpo del grifo	Latón,
Material del caño del grifo	Latón,
Material de la manija del grifo	Latón,
Información de accesorios
Válvula incluida	Sí,
Drenaje incluido	No,
Pesos
Peso neto (kg)	0,99,
Peso del envío (kg)	1.17,

Parámetros de entrada

Entrada de CA 480 V ± 10 % trifásica
Parámetros de salida

CC 0~50 V 0~5000 A ajustable continuamente
Potencia de salida

250 kW
Método de enfriamiento

refrigeración por aire forzado / refrigeración por agua
PLC analógico

0-10 V/4-20 mA/0-5 V
Interfaz

RS485/RS232
Modo de control

diseño de control remoto
Visualización en pantalla

pantalla digital
Protecciones múltiples

Falta de fase, sobrecalentamiento, sobretensión, sobrecorriente, cortocircuito
Camino de control

PLC/Microcontrolador

Modelo y datos

Número de modelo	Ondulación de salida	Precisión de visualización actual	Precisión de la visualización de voltios	Precisión CC/CV	Aumento y descenso gradual	Excederse
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10 mA	≤10 mV	≤10 mA/10 mV	0~99S	No

Aplicaciones del producto

El polisilicio es una forma de silicio elemental. Cuando el silicio elemental fundido se solidifica bajo condiciones de sobreenfriamiento, los átomos de silicio se organizan en numerosos núcleos cristalinos con forma de red de diamante. Si estos núcleos cristalinos se transforman en granos con diferentes orientaciones en el plano cristalino, estos granos se combinan para cristalizar en silicio policristalino.