Fuente de alimentación de silicio policristalino 0~50V 0~5000A

Descripción del Producto:

Presupuesto:

Parámetros de entrada: trifásico, AC480V±10%, 60HZ

Parámetros de salida: CC 0~50V 0~5000A

Modo de salida: salida CC común

Método de enfriamiento: enfriamiento por aire/enfriamiento por agua

Tipo de fuente de alimentación: basada en IGBT

Industria de aplicaciones: reducción y presión del horno de reducción de silicio policristalino, crecimiento de cristales

Tamaño del producto: 87*82,5*196 cm

Peso neto: 460 kg

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Especificación
Tipo de grifo	grifos de lavabo de baño,
Tipo de instalación	centro,
Orificios de instalación	un agujero,
Número de manijas	manija única,
Finalizar	Ti-PVD,
Estilo	País,
Tasa de flujo	1,5 GPM (5,7 L/min) máx.,
Tipo de válvula	válvula de cerámica,
Interruptor de frío y calor	Sí,
Dimensiones
Altura total	240 milímetros (9,5 "),
Altura del pico	155 milímetros (6,1 "),
Longitud del pico	160 milímetros (6,3 "),
Centro del grifo	agujero único,
Material
Material del cuerpo del grifo	Latón,
Material del caño del grifo	Latón,
Material de la manija del grifo	Latón,
Información de accesorios
Válvula incluida	Sí,
Drenaje incluido	No,
Pesos
Peso neto (kg)	0,99,
Peso de envío (kg)	1.17,

característica

Parámetros de entrada

Entrada de CA 480v±10% trifásica
Parámetros de salida

DC 0~50V 0~5000A continuamente ajustable
Potencia de salida

250kW
Método de enfriamiento

refrigeración por aire forzado/refrigeración por agua
PLC analógico

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Interfaz

RS485/RS232
Modo de control

diseño de control remoto
Visualización de pantalla

pantalla digital
Múltiples protecciones

falta fase sobrecalentamiento sobretensión sobrecorriente cortocircuito
Manera de control

PLC/Microcontrolador

Modelo y datos

Número de modelo	Ondulación de salida	Precisión de visualización actual	Precisión de visualización de voltios	Precisión CC/CV	Aceleración y desaceleración	Excederse
GKD50-5000CVC	PPV≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Aplicaciones de productos

El polisilicio es una forma de silicio elemental. Cuando el silicio elemental fundido se solidifica en condiciones de sobreenfriamiento, los átomos de silicio se organizan en muchos núcleos cristalinos en forma de una red de diamante. Si estos núcleos cristalinos crecen hasta convertirse en granos con diferentes orientaciones de planos cristalinos, entonces estos granos se combinan para cristalizar en silicio policristalino.